casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RS1E170GNTB
codice articolo del costruttore | RS1E170GNTB |
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Numero di parte futuro | FT-RS1E170GNTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1E170GNTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 23.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSOP |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1E170GNTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1E170GNTB-FT |
RSS065N06FRATB
Rohm Semiconductor
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