casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RS1E200BNTB
codice articolo del costruttore | RS1E200BNTB |
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Numero di parte futuro | FT-RS1E200BNTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1E200BNTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSOP |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1E200BNTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1E200BNTB-FT |
RSS060P05FRATB
Rohm Semiconductor
RSS070P05FRATB
Rohm Semiconductor
RSS100N03FRATB
Rohm Semiconductor
RJK005N03T146
Rohm Semiconductor
RHK005N03T146
Rohm Semiconductor
RJK005N03FRAT146
Rohm Semiconductor
2SK2731T146
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RHK003N06T146
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RF4E100AJTCR
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RF4E080GNTR
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XC3S2000-4FG456C
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A42MX09-VQ100I
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AGL030V5-VQ100I
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EP2C50F672I8
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XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
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