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Rohm Semiconductor RS1E180BNTB

Name: RS1E180BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E180BNTB
Price: 0.15624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (145 reviews)

Numero parte MFG: RS1E180BNTB

quantità disponibile: 18090 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.15624

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fabbricante: Rohm Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RS1E180BNTB.pdf

RS1E180BNTB specificazioni

codice articolo del costruttore	RS1E180BNTB
Numero di parte futuro	FT-RS1E180BNTB
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RS1E180BNTB Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSOP
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1E180BNTB Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RS1E180BNTB-FT

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