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Rohm Semiconductor RS1P600BETB1

Name: RS1P600BETB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1P600BETB1
Price: 0.980672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (643 reviews)

Numero parte MFG: RS1P600BETB1

quantità disponibile: 22210 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.980672

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fabbricante: Rohm Semiconductor

Breve descrizione: - RS1P600BE IS A POWER MOSFET WITH

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RS1P600BETB1.pdf

RS1P600BETB1 specificazioni

codice articolo del costruttore	RS1P600BETB1
Numero di parte futuro	FT-RS1P600BETB1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RS1P600BETB1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17.5A (Ta), 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 35W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSOP
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1P600BETB1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RS1P600BETB1-FT

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