casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RS1E200GNTB
codice articolo del costruttore | RS1E200GNTB |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RS1E200GNTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RS1E200GNTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 25.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSOP |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1E200GNTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RS1E200GNTB-FT |
RUU002N05T106
Rohm Semiconductor
RHU003N03FRAT106
Rohm Semiconductor
RJU002N06FRAT106
Rohm Semiconductor
RHU003N03T106
Rohm Semiconductor
RTU002P02T106
Rohm Semiconductor
RSS065N06FRATB
Rohm Semiconductor
RSS070N05FRATB
Rohm Semiconductor
RSS060P05FRATB
Rohm Semiconductor
RSS070P05FRATB
Rohm Semiconductor
RSS100N03FRATB
Rohm Semiconductor
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel