casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / H812K1BYA
codice articolo del costruttore | H812K1BYA |
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Numero di parte futuro | FT-H812K1BYA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H812K1BYA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 12.1 kOhms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±15ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812K1BYA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | H812K1BYA-FT |
H8110RBZA
TE Connectivity Passive Product
H8110RDCA
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H8110RDYA
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H8113KBYA
TE Connectivity Passive Product
H8113RBCA
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EX128-PTQ100
Microsemi Corporation
XC2VP20-5FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-N3FG484C
Xilinx Inc.
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP4CGX30CF23C7N
Intel
EP4SE530H40I4N
Intel
XC7K325T-2FFG676I
Xilinx Inc.
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
EP1C20F324C8N
Intel