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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263

Name: GA10JT12-263
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA10JT12-263
Price: 16.12 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (494 reviews)

Numero parte MFG: GA10JT12-263

quantità disponibile: 70340 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 16.12

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione: - TRANS SJT 1200V 25A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: GA10JT12-263.pdf

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GA10JT12-263 specificazioni

codice articolo del costruttore	GA10JT12-263
Numero di parte futuro	FT-GA10JT12-263
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
GA10JT12-263 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Pacchetto / caso	-
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA10JT12-263 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	GA10JT12-263-FT

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