casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FZ2400R17HP4B9HOSA2
codice articolo del costruttore | FZ2400R17HP4B9HOSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-FZ2400R17HP4B9HOSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FZ2400R17HP4B9HOSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configurazione | Single Switch |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4800A |
Potenza - Max | 15500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 2400A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 195nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ2400R17HP4B9HOSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FZ2400R17HP4B9HOSA2-FT |
FT150R12KE3GB4BDLA1
Infineon Technologies
FF450R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FD16001200R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
FD16001200R17HP4KB2BOSA1
Infineon Technologies
FD800R17HP4KB2BOSA2
Infineon Technologies
FZ1200R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
FZ1600R17HP4B21BOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R17HP4B29BOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HP4B28BOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
XC3S200-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C10U256A7N
Intel
EP4SGX230KF40I4N
Intel
EP3SL150F1152C3
Intel
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
LFXP20C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YF780I6G
Intel
EP2S130F780I4N
Intel