casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FD16001200R17HP4KB2BOSA1
codice articolo del costruttore | FD16001200R17HP4KB2BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FD16001200R17HP4KB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FD16001200R17HP4KB2BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Dual Brake Chopper |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1600A |
Potenza - Max | 1050W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1600A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 130nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD16001200R17HP4KB2BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FD16001200R17HP4KB2BOSA1-FT |
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
APTGT200H120G
Microsemi Corporation
APTGT200H60G
Microsemi Corporation
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel