casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FD16001200R17HP4B2BOSA2
codice articolo del costruttore | FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Dual Brake Chopper |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 10500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1600A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 130nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FD16001200R17HP4B2BOSA2-FT |
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
APTGT200H120G
Microsemi Corporation
APTGT200H60G
Microsemi Corporation
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3FG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3FG484C
Xilinx Inc.
ICE65L08F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD5H2F35I2L
Intel
A40MX04-PQ100A
Microsemi Corporation
5CEFA5F23I7N
Intel
10AX115U1F45I2SGES
Intel
EP4CE30F29C9L
Intel
EPF10K20RC240-4
Intel