casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FD16001200R17HP4B2BOSA2
codice articolo del costruttore | FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Dual Brake Chopper |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 10500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1600A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 130nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FD16001200R17HP4B2BOSA2-FT |
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
APTGT200H120G
Microsemi Corporation
APTGT200H60G
Microsemi Corporation
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
XC2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C4N
Intel
EP4CGX110CF23C7
Intel
EP2AGX65DF25C6N
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
LFX200EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-9FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel