casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FD16001200R17HP4B2BOSA2
codice articolo del costruttore | FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Dual Brake Chopper |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 10500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1600A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 130nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FD16001200R17HP4B2BOSA2-FT |
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
APTGT200H120G
Microsemi Corporation
APTGT200H60G
Microsemi Corporation
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
EPF8820ATC144-4N
Intel
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE3000-2PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL050T-VFG400I
Microsemi Corporation
10AX027E2F27I2SG
Intel
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35E3LG
Intel
EP20K100CQ208C9
Intel