casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FZ1600R17HP4B21BOSA2
codice articolo del costruttore | FZ1600R17HP4B21BOSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-FZ1600R17HP4B21BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FZ1600R17HP4B21BOSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1600A |
Potenza - Max | 10500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1600A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 130nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1600R17HP4B21BOSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FZ1600R17HP4B21BOSA2-FT |
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation
APTGT225SK170G
Microsemi Corporation
APTGT25X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120D3G
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YU484C8G
Intel
EP3CLS70U484C7
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
10CL006YE144C8G
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel
5AGXMA7G4F35C5N
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel