casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FZ2400R17HP4B2BOSA2
codice articolo del costruttore | FZ2400R17HP4B2BOSA2 |
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Numero di parte futuro | FT-FZ2400R17HP4B2BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FZ2400R17HP4B2BOSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4800A |
Potenza - Max | 13000W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 2400A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 195nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ2400R17HP4B2BOSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FZ2400R17HP4B2BOSA2-FT |
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation
APTGT225SK170G
Microsemi Corporation
APTGT25X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120G
Microsemi Corporation
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A60D3G
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP20K300EFC672-2
Intel
5CEFA7F27C7N
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
EP3CLS70F484C8N
Intel
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144
Microsemi Corporation