casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FZ2400R17HP4B2BOSA2
codice articolo del costruttore | FZ2400R17HP4B2BOSA2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FZ2400R17HP4B2BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FZ2400R17HP4B2BOSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4800A |
Potenza - Max | 13000W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 2400A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 195nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ2400R17HP4B2BOSA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FZ2400R17HP4B2BOSA2-FT |
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation
APTGT225SK170G
Microsemi Corporation
APTGT25X120T3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A120G
Microsemi Corporation
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation
APTGT300A60D3G
Microsemi Corporation
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation