casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS800R07A2E3B31BOSA1
codice articolo del costruttore | FS800R07A2E3B31BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS800R07A2E3B31BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
FS800R07A2E3B31BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | - |
Termistore NTC | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS800R07A2E3B31BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS800R07A2E3B31BOSA1-FT |
FS100R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4GPB11BPSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4GPBPSA1
Infineon Technologies
FS100R12N2T4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17PE4BOSA1
Infineon Technologies
FS10R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
FS10R06VE3BOMA1
Infineon Technologies
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
XCS40XL-5BG256C
Xilinx Inc.
XC7S15-1CPGA196I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation