casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS10R06VE3BOMA1
codice articolo del costruttore | FS10R06VE3BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS10R06VE3BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS10R06VE3BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 16A |
Potenza - Max | 50W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 550pF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS10R06VE3BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS10R06VE3BOMA1-FT |
FF600R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF75R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FF800R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA2
Infineon Technologies
FMG1G100US60H
ON Semiconductor
FMG1G100US60L
ON Semiconductor
FMG1G50US60H
ON Semiconductor
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel