casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS10R06VE3BOMA1
codice articolo del costruttore | FS10R06VE3BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS10R06VE3BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS10R06VE3BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 16A |
Potenza - Max | 50W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 550pF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS10R06VE3BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS10R06VE3BOMA1-FT |
FF600R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF75R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FF800R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA2
Infineon Technologies
FMG1G100US60H
ON Semiconductor
FMG1G100US60L
ON Semiconductor
FMG1G50US60H
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ256
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8
Intel
5SGXMA3E1H29C2LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ100
Microsemi Corporation
EP3SL50F780I3
Intel