casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS100R12KT4B11BOSA1
codice articolo del costruttore | FS100R12KT4B11BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS100R12KT4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
FS100R12KT4B11BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Potenza - Max | 515W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R12KT4B11BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS100R12KT4B11BOSA1-FT |
FF600R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4AB11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4B72BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4CB11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4CPB11BPSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4CPBPSA1
Infineon Technologies
FF600R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K3F40I3LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
5SGXMA4H3F35I4
Intel
XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C4N
Intel
EP1S40F780I6
Intel