casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS100R12PT4BOSA1
codice articolo del costruttore | FS100R12PT4BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS100R12PT4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS100R12PT4BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 135A |
Potenza - Max | 500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R12PT4BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS100R12PT4BOSA1-FT |
FF600R12ME4CB11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4CPB11BPSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4CPBPSA1
Infineon Technologies
FF600R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF75R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FF800R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF800R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
XCKU11P-1FFVE1517I
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FG456I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
APA750-BGG456I
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1759C
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM49TR
Lattice Semiconductor Corporation