casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS100R12KT3BOSA1
codice articolo del costruttore | FS100R12KT3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS100R12KT3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS100R12KT3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 140A |
Potenza - Max | 480W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 100A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 7.1nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R12KT3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS100R12KT3BOSA1-FT |
FF600R12IS4FBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12KE3NOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4AB11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4B72BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4CB11BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4CPB11BPSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4CPBPSA1
Infineon Technologies
FF600R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FF600R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel