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ON Semiconductor FQU2N60TU

Numero parte MFG
FQU2N60TU
quantità disponibile
51400 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
QFET® MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-FQU2N60TU
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQU2N60TU Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQU2N60TU Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FQU2N60TU-FT

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