casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUFA76633S3S
codice articolo del costruttore | HUFA76633S3S |
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Numero di parte futuro | FT-HUFA76633S3S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUFA76633S3S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 39A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 145W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA76633S3S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUFA76633S3S-FT |
FQB7N20LTM
ON Semiconductor
FQB7N20TM
ON Semiconductor
FQB7N30TM
ON Semiconductor
FQB7N60TM-WS
ON Semiconductor
FQB7N65CTM
ON Semiconductor
FQB7N80TM_AM002
ON Semiconductor
FQB7P06TM
ON Semiconductor
FQB7P20TM-F085
ON Semiconductor
FQB85N06TM_AM002
ON Semiconductor
FQB8N25TM
ON Semiconductor
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel