casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUFA76645S3ST-F085
codice articolo del costruttore | HUFA76645S3ST-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-HUFA76645S3ST-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
HUFA76645S3ST-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA76645S3ST-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUFA76645S3ST-F085-FT |
FQB7P06TM
ON Semiconductor
FQB7P20TM-F085
ON Semiconductor
FQB85N06TM_AM002
ON Semiconductor
FQB8N25TM
ON Semiconductor
FQB8N60CFTM
ON Semiconductor
FQB8N60CTM-WS
ON Semiconductor
FQB9N08LTM
ON Semiconductor
FQB9N08TM
ON Semiconductor
FQB9N15TM
ON Semiconductor
FQB9N25CTM
ON Semiconductor
A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
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A10V20B-PL68C
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EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
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EP3SE80F780C4
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Intel