casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFW540ATM
codice articolo del costruttore | IRFW540ATM |
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Numero di parte futuro | FT-IRFW540ATM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFW540ATM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1710pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 107W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFW540ATM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFW540ATM-FT |
FQB7P20TM-F085
ON Semiconductor
FQB85N06TM_AM002
ON Semiconductor
FQB8N25TM
ON Semiconductor
FQB8N60CFTM
ON Semiconductor
FQB8N60CTM-WS
ON Semiconductor
FQB9N08LTM
ON Semiconductor
FQB9N08TM
ON Semiconductor
FQB9N15TM
ON Semiconductor
FQB9N25CTM
ON Semiconductor
FQB9N25TM
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel