casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFW630BTM-FP001
codice articolo del costruttore | IRFW630BTM-FP001 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRFW630BTM-FP001 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFW630BTM-FP001 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 72W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFW630BTM-FP001 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFW630BTM-FP001-FT |
FQB85N06TM_AM002
ON Semiconductor
FQB8N25TM
ON Semiconductor
FQB8N60CFTM
ON Semiconductor
FQB8N60CTM-WS
ON Semiconductor
FQB9N08LTM
ON Semiconductor
FQB9N08TM
ON Semiconductor
FQB9N15TM
ON Semiconductor
FQB9N25CTM
ON Semiconductor
FQB9N25TM
ON Semiconductor
FQB9N50CFTM
ON Semiconductor
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel