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codice articolo del costruttore | FQI12N60CTU |
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Numero di parte futuro | FT-FQI12N60CTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQI12N60CTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI12N60CTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQI12N60CTU-FT |
BSS192PE6327T
Infineon Technologies
BSS192PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS225
Infineon Technologies
BSS225H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS225L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS87 E6433
Infineon Technologies
BSS87E6327
Infineon Technologies
BSS87E6327T
Infineon Technologies
BSS87H6327XTSA1
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel