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Infineon Technologies BSS192PL6327HTSA1
- Numero parte MFG
- BSS192PL6327HTSA1
- quantità disponibile
- 16940 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- SIPMOS® MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- BSS192PL6327HTSA1.pdf
BSS192PL6327HTSA1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | BSS192PL6327HTSA1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-BSS192PL6327HTSA1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | SIPMOS® |
| BSS192PL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 190mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 190mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 104pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
| Pacchetto / caso | TO-243AA |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSS192PL6327HTSA1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | BSS192PL6327HTSA1-FT |
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