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Infineon Technologies BSS87E6327T

Numero parte MFG
BSS87E6327T
quantità disponibile
93500 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSS87E6327T specificazioni

codice articolo del costruttore BSS87E6327T
Numero di parte futuro FT-BSS87E6327T
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSS87E6327T Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 260mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 260mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 97pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT89-4-2
Pacchetto / caso TO-243AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS87E6327T Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSS87E6327T-FT

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