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Infineon Technologies BSS225H6327XTSA1

Numero parte MFG
BSS225H6327XTSA1
quantità disponibile
44290 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.143616
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS™ MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore BSS225H6327XTSA1
Numero di parte futuro FT-BSS225H6327XTSA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS™
BSS225H6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 90mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 90mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 131pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT89
Pacchetto / caso TO-243AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS225H6327XTSA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSS225H6327XTSA1-FT

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