casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS87H6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BSS87H6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS87H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS™ |
BSS87H6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 260mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 260mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 108µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 97pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89-4-2 |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS87H6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS87H6327XTSA1-FT |
IPI90N06S404AKSA1
Infineon Technologies
IPI90N06S4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies
IPI90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies
IPI90R340C3XKSA1
Infineon Technologies
IPI90R500C3XKSA1
Infineon Technologies
IPI90R800C3XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R150CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel