casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQD1N60TM
codice articolo del costruttore | FQD1N60TM |
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Numero di parte futuro | FT-FQD1N60TM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD1N60TM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD1N60TM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQD1N60TM-FT |
FCD4N60TF
ON Semiconductor
FCD4N60TM_WS
ON Semiconductor
FCD5N60TF
ON Semiconductor
FCD7N60TF
ON Semiconductor
FDD044AN03L
ON Semiconductor
FDD068AN03L
ON Semiconductor
FDD107AN06LA0
ON Semiconductor
FDD14AN06LA0
ON Semiconductor
FDD16AN08A0-F085
ON Semiconductor
FDD16AN08A0_NF054
ON Semiconductor
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel