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ON Semiconductor FDD107AN06LA0

Numero parte MFG
FDD107AN06LA0
quantità disponibile
25440 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore FDD107AN06LA0
Numero di parte futuro FT-FDD107AN06LA0
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDD107AN06LA0 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 91 mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD107AN06LA0 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDD107AN06LA0-FT

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