casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDD16AN08A0_NF054
codice articolo del costruttore | FDD16AN08A0_NF054 |
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Numero di parte futuro | FT-FDD16AN08A0_NF054 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
FDD16AN08A0_NF054 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1874pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 135W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD16AN08A0_NF054 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD16AN08A0_NF054-FT |
2SK2993(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3068(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3127(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3309(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3342(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3462(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3816-DL-E
ON Semiconductor
2SK3817-DL-E
ON Semiconductor
2SK3821-DL-E
ON Semiconductor
64-4051
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel