casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDD044AN03L
codice articolo del costruttore | FDD044AN03L |
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Numero di parte futuro | FT-FDD044AN03L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD044AN03L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5160pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 160W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD044AN03L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD044AN03L-FT |
2SJ687-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK2231(TE16R1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2266(TE24R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2845(TE16L1,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2883(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2993(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3068(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3127(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3309(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3342(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel