casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCD5N60TF
codice articolo del costruttore | FCD5N60TF |
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Numero di parte futuro | FT-FCD5N60TF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET™ |
FCD5N60TF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 54W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCD5N60TF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCD5N60TF-FT |
2SJ377(TE16R1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ610(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ687-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK2231(TE16R1,NQ)
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2SK2266(TE24R,Q)
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2SK2845(TE16L1,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2883(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2993(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3068(TE24L,Q)
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2SK3127(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50-4TQG144I
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XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
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MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel