casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQA13N50CF
codice articolo del costruttore | FQA13N50CF |
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Numero di parte futuro | FT-FQA13N50CF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRFET® |
FQA13N50CF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2055pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 218W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA13N50CF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQA13N50CF-FT |
HAT2197R-EL-E
Renesas Electronics America
RJK0349DSP-01#J0
Renesas Electronics America
RJK0355DSP-01#J0
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RJK1555DPA-00#J0
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A54SX16A-2TQ144I
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XC3S400-4FG320I
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5SGXMA3E1H29I2N
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5SGSMD8N3F45I3N
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5SGXMA4H3F35I4N
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XC6VLX195T-2FFG784I
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