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Renesas Electronics America HAT2299WP-EL-E

Name: HAT2299WP-EL-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: HAT2299WP-EL-E
Availability: InStock
Rating: 4.8 (779 reviews)

Numero parte MFG: HAT2299WP-EL-E

quantità disponibile: 36550 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH WPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HAT2299WP-EL-E.pdf

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HAT2299WP-EL-E specificazioni

codice articolo del costruttore	HAT2299WP-EL-E
Numero di parte futuro	FT-HAT2299WP-EL-E
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HAT2299WP-EL-E Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	25W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-WPAK
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HAT2299WP-EL-E Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HAT2299WP-EL-E-FT

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