casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HAT2197R-EL-E
codice articolo del costruttore | HAT2197R-EL-E |
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Numero di parte futuro | FT-HAT2197R-EL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HAT2197R-EL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2650pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2197R-EL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HAT2197R-EL-E-FT |
2SK3430-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3431-AZ
Renesas Electronics America
2SK3431-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3481-AZ
Renesas Electronics America
N0439N-S19-AY
Renesas Electronics America
NP60N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP60N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP80N055MHE-S18-AY
Renesas Electronics America
NP80N06MLG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP88N075MUE-S18-AY
Renesas Electronics America
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel