casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK1555DPA-00#J0
codice articolo del costruttore | RJK1555DPA-00#J0 |
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Numero di parte futuro | FT-RJK1555DPA-00#J0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK1555DPA-00#J0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WPAK |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK1555DPA-00#J0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK1555DPA-00#J0-FT |
NP88N075MUE-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America
RJK0601DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0602DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0603DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0703DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK1002DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0651DPB-00#J5
Renesas Electronics America
HAT2168H-EL-E
Renesas Electronics America
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel