casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK0355DSP-01#J0
codice articolo del costruttore | RJK0355DSP-01#J0 |
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Numero di parte futuro | FT-RJK0355DSP-01#J0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK0355DSP-01#J0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0355DSP-01#J0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK0355DSP-01#J0-FT |
2SK3431-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3481-AZ
Renesas Electronics America
N0439N-S19-AY
Renesas Electronics America
NP60N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP60N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP80N055MHE-S18-AY
Renesas Electronics America
NP80N06MLG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP88N075MUE-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel