codice articolo del costruttore | FDV305N |
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Numero di parte futuro | FT-FDV305N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDV305N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 900mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 900mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 109pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDV305N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDV305N-FT |
SI1489EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ1420EEH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1431EH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1440EH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1464EEH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1470AEH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1470EH-T1-GE3
Vishay Siliconix
IRLMS1902TRPBF
Infineon Technologies
SIL3407-TP
Micro Commercial Co
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel