casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQ1470AEH-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQ1470AEH-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ1470AEH-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ1470AEH-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363, SC70 |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ1470AEH-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ1470AEH-T1_GE3-FT |
TK18E10K3,S1X(S
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TK25E06K3,S1X(S
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TK35E10K3(S1SS-Q)
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TK40E10K3,S1X(S
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TK50E06K3A,S1X(S
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TK50E08K3,S1X(S
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TK55D10J1(Q)
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TK60D08J1(Q)
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TK60E08K3,S1X(S
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TK70D06J1(Q)
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