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ON Semiconductor FDP12N60NZ

Name: FDP12N60NZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDP12N60NZ
Price: 1.704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (771 reviews)

Numero parte MFG: FDP12N60NZ

quantità disponibile: 28500 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.704

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: UniFET-II™ MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDP12N60NZ.pdf

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FDP12N60NZ specificazioni

codice articolo del costruttore	FDP12N60NZ
Numero di parte futuro	FT-FDP12N60NZ
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	UniFET-II™
FDP12N60NZ Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1676pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	240W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP12N60NZ Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDP12N60NZ-FT

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