casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDP12N50NZ
codice articolo del costruttore | FDP12N50NZ |
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Numero di parte futuro | FT-FDP12N50NZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET-II™ |
FDP12N50NZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 5.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1235pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDP12N50NZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDP12N50NZ-FT |
GA10JT12-263
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GA100JT17-227
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FQNL2N50BTA
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M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
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APA1000-PQ208M
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LCMXO3L-9400C-6BG484C
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5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
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XC6VLX550T-2FFG1759C
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XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
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