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ON Semiconductor FDMC4435BZ-F126

Name: FDMC4435BZ-F126
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDMC4435BZ-F126
Price: 0.22024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (480 reviews)

Numero parte MFG: FDMC4435BZ-F126

quantità disponibile: 30870 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.22024

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: PowerTrench® MOSFET P-CH 30V 8.5A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDMC4435BZ-F126.pdf

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FDMC4435BZ-F126 specificazioni

codice articolo del costruttore	FDMC4435BZ-F126
Numero di parte futuro	FT-FDMC4435BZ-F126
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDMC4435BZ-F126 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.5A (Ta), 18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2045pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta), 31W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-MLP (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDMC4435BZ-F126 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDMC4435BZ-F126-FT

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