casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQI17P06TU
codice articolo del costruttore | FQI17P06TU |
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Numero di parte futuro | FT-FQI17P06TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQI17P06TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI17P06TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQI17P06TU-FT |
BSS87E6327T
Infineon Technologies
BSS87H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS87L6327HTSA1
Infineon Technologies
IRF7480MTRPBF
Infineon Technologies
IRF60DM206
Infineon Technologies
IRF7580MTRPBF
Infineon Technologies
IRF7780MTRPBF
Infineon Technologies
IRL7486MTRPBF
Infineon Technologies
IRFH5304TRPBF
Infineon Technologies
IRFH5004TRPBF
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation