casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMC3612
codice articolo del costruttore | FDMC3612 |
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Numero di parte futuro | FT-FDMC3612 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMC3612 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Ta), 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC3612 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMC3612-FT |
FQI17N08TU
ON Semiconductor
FQI17P06TU
ON Semiconductor
FQI19N20CTU
ON Semiconductor
FQI19N20TU
ON Semiconductor
FQI1P50TU
ON Semiconductor
FQI27N25TU
ON Semiconductor
FQI27N25TU-F085
ON Semiconductor
FQI27P06TU
ON Semiconductor
FQI2N30TU
ON Semiconductor
FQI2N80TU
ON Semiconductor
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
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EPF10K10QI208-4
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EPF10K30AQC208-3N
Intel