casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMA037N08LC
codice articolo del costruttore | FDMA037N08LC |
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Numero di parte futuro | FT-FDMA037N08LC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMA037N08LC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36.5 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMA037N08LC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMA037N08LC-FT |
FDMS2D5N08C
ON Semiconductor
FDMS4D4N08C
ON Semiconductor
N0434N-S23-AY
Renesas Electronics America
N0602N-S19-AY
Renesas Electronics America
N0603N-S23-AY
Renesas Electronics America
N0604N-S19-AY
Renesas Electronics America
NTMFS10N3D2C
ON Semiconductor
NTMFS10N7D2C
ON Semiconductor
RJK03M2DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
RJK03M3DPA-00#J5A
Renesas Electronics America
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel