casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMFS10N3D2C
codice articolo del costruttore | NTMFS10N3D2C |
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Numero di parte futuro | FT-NTMFS10N3D2C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
NTMFS10N3D2C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 151A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 370µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6215pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 138W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMFS10N3D2C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMFS10N3D2C-FT |
SI3420-TP
Micro Commercial Co
STB6N65K3
STMicroelectronics
STMFS5C609NLT1G
ON Semiconductor
DMN3110LCP3-7
Diodes Incorporated
NVATS5A302PLZT4G
ON Semiconductor
DMN2015UFDE-7
Diodes Incorporated
DMN2040UVT-7
Diodes Incorporated
DMN2058U-7
Diodes Incorporated
DMN3009LFVW-13
Diodes Incorporated
DMN3009SSS-13
Diodes Incorporated
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel