casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / N0604N-S19-AY
codice articolo del costruttore | N0604N-S19-AY |
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Numero di parte futuro | FT-N0604N-S19-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N0604N-S19-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 82A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 41A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Isolated Tab |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N0604N-S19-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N0604N-S19-AY-FT |
NTMFS4C760NT1G
ON Semiconductor
SI3420-TP
Micro Commercial Co
STB6N65K3
STMicroelectronics
STMFS5C609NLT1G
ON Semiconductor
DMN3110LCP3-7
Diodes Incorporated
NVATS5A302PLZT4G
ON Semiconductor
DMN2015UFDE-7
Diodes Incorporated
DMN2040UVT-7
Diodes Incorporated
DMN2058U-7
Diodes Incorporated
DMN3009LFVW-13
Diodes Incorporated
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel