casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDMS2D5N08C
codice articolo del costruttore | FDMS2D5N08C |
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Numero di parte futuro | FT-FDMS2D5N08C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS2D5N08C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 166A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 68A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 380µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6240pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 138W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS2D5N08C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDMS2D5N08C-FT |
NTMFS4C08NAT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C09NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NAT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NAT3G
ON Semiconductor
NTMFS4C10NBT1G
ON Semiconductor
NTMFS4C760NT1G
ON Semiconductor
SI3420-TP
Micro Commercial Co
STB6N65K3
STMicroelectronics
STMFS5C609NLT1G
ON Semiconductor
DMN3110LCP3-7
Diodes Incorporated
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation