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Renesas Electronics America N0603N-S23-AY

Numero parte MFG
N0603N-S23-AY
quantità disponibile
30900 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.7056
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Data di spedizione
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fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 100A TO-262
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore N0603N-S23-AY
Numero di parte futuro FT-N0603N-S23-AY
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
N0603N-S23-AY Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7730pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 156W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-262
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
N0603N-S23-AY Peso Contattaci
Numero parte di ricambio N0603N-S23-AY-FT

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