casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FCH47N60-F085
codice articolo del costruttore | FCH47N60-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FCH47N60-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ |
FCH47N60-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 47A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 417W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH47N60-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FCH47N60-F085-FT |
GP1M009A090N
Global Power Technologies Group
GP1M010A080N
Global Power Technologies Group
GP1M016A060N
Global Power Technologies Group
GP1M020A050N
Global Power Technologies Group
GP1M020A060M
Global Power Technologies Group
GP1M020A060N
Global Power Technologies Group
GP1M023A050N
Global Power Technologies Group
GP2M009A090NG
Global Power Technologies Group
GP2M011A090NG
Global Power Technologies Group
GP2M012A080NG
Global Power Technologies Group
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation